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三菱电机:做功率半导体市场的全球霸主

2019-11-13 18:10:38来源:励志吧0次阅读

在行业称霸

三菱的功率半导体产品,早已稳站全世界第一,那么三菱电机下一个目标将是什么呢?日前在PCIM亚洲2012展上就有媒体关于三菱电机的未来计划采访了三菱电机董事技术总监Gourab Majumdar博士。

  在参访中Gourab Majumdar博士表示三菱电机的下一个目标是成为绝对第一,亦即要拉开与第二位的距离。具体来说,就是到2015年时,全球销售收入达到1,900亿日元的目标。从2010年到2011年间,公司在生产上,已投入了300亿日元,扩大全球销售及客户网络;加强研发,开发第七代IGBT和碳化硅功率器件,提高实用性;我们前年收购了Vincotech,将彼此的产品进行一个相加效应,在绿色能源方面发挥更大作用。

在经营战略方面,公司在2010年以后特别注重成长,采取了两条腿走路的方式。一方面做强具竞争力的业务,调整相对弱项的业务;另一方面,就是以具竞争力的业务为核心,深化解决方案,比如以智能电网为例,这就是结合强项业务和强项产品的解决方案。

三菱电机增强在中国国内的生产,除在原有的OEM工厂,生产DIPIPM外;在安徽省合肥市新设了一家合资企业,去年8月,今年1月份开始生产,主要产品是DIPIPM、工业用的IGBT。

三菱电机董事技术总监 Gourab Majumdar博士

三菱电机公司在2010年的销售收入与2011年相约,但是由于欧债危机,营业利润2011年比2010年略有下降,我们估计2012年上半年度,公司的业绩还不会恢复,我们期待着在2012年的下半年开始,公司的业绩有一个比较大的增幅。

但在IGBT的市场份额上,自2008年全球性金融危机以后,三菱电机跑赢了整个市场,据调查公司提供的2011年数据来看,三菱电机IGBT的市场份额,大概是占全球三分之一左右。从销售区域来看,还是以日本为主,占49%,在亚洲由于中国空调的变频化,所以比前几年有所增长。由于今年受到全球经济萎缩的影响,估计销售可能比2011年下降。

IGBT技术持续领先

在功率半导体最新的技术发展方面,IGBT芯片技术一直在进步。第三代的IGBT是平板型的构造,第四代是一个勾槽型的构造,第五代成为CSTBT,第六代是超薄化。目前正在开发的第七代IGBT,试图把CSTBT的构造进一步优化,微细化、和超薄化,改善关断损耗对饱和压降的折中比例,提高功率半导体的性能。

从性能系数(FOM)来看,第六代已比第一代提高了16倍。如果第七代通过减少无效区间、超微细化等工序,可提高26倍。

在封装技术方面,在小容量消费类DIPIPM产品中,三菱电机采用了压注膜的封装办法。在中容量工业产品、混合动力和电动汽车的New-MPD产品中,采用了盒式封装。在大容量,特别是用在高铁上的产品中,采用了碳化硅铝的芯片,然后用盒式封装完成。

今后开发的技术方向,就是朝新绑定技术、高性能、高功率密度化、和高Tj发展。对于高耐压的产品来说,提高高功率密度化、高功率循环和温度循环、提高产品的寿命和绝缘的电压,同时降低热抵抗。

    

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